炭化珪素（ＳｉＣ）の成膜装置のクリーニング

基本情報

出願番号	特願2012-127018
出願日	2012/6/4
出願人	大陽日酸株式会社
公開番号	特開2013-251487
公開日	2013/12/12
登録番号	特許第5933347号
特許権者	大陽日酸株式会社
発明の名称	炭化珪素除去方法
技術分野	電気・電子、化学・薬品
機能	洗浄・除去
適用製品	炭化珪素の成膜装置のクリーニング技術
目的	炭化珪素の成膜装置のチャンバー内のクリーニングを行う。
効果	炭化珪素の成膜装置の内面のクリーニングを、インサイチュ（ｉｎ－ｓｉｔｕ）でチャンバー内の損傷を抑制しかつ短時間で行うことができる。
技術概要	、①の終了後、④を行いながら、②と③を交互に繰り返し行う。 ④の測定値が所定の閾値より低くなったとき、②と③を終了し、⑤を開始する。 ⑤の終了後、再び①に戻る。以上の工程により、チャンバー内のクリーニングを行う。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者名称	大陽日酸株式会社