炭化珪素(SiC)の成膜装置のクリーニング

開放特許情報番号
L2019000500
開放特許情報登録日
2019/4/19
最新更新日
2019/4/19

基本情報

出願番号 特願2012-127018
出願日 2012/6/4
出願人 大陽日酸株式会社
公開番号 特開2013-251487
公開日 2013/12/12
登録番号 特許第5933347号
特許権者 大陽日酸株式会社
発明の名称 炭化珪素除去方法
技術分野 電気・電子、化学・薬品
機能 洗浄・除去
適用製品 炭化珪素の成膜装置のクリーニング技術
目的 炭化珪素の成膜装置のチャンバー内のクリーニングを行う。
効果 炭化珪素の成膜装置の内面のクリーニングを、インサイチュ(in−situ)でチャンバー内の損傷を抑制しかつ短時間で行うことができる。
技術概要
、@の終了後、Cを行いながら、AとBを交互に繰り返し行う。
Cの測定値が所定の閾値より低くなったとき、AとBを終了し、Dを開始する。
Dの終了後、再び@に戻る。
以上の工程により、チャンバー内のクリーニングを行う。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 大陽日酸株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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