半導体発光素子及びその製造方法並びに発光モジュール
- 開放特許情報番号
- L2019000474
- 開放特許情報登録日
- 2019/4/17
- 最新更新日
- 2023/1/12
基本情報
| 出願番号 | 特願2017-071728 |
|---|---|
| 出願日 | 2017/3/31 |
| 出願人 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2018/11/8 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 |
| 発明の名称 | 半導体発光素子及び発光モジュール |
| 技術分野 | 電気・電子、無機材料 |
| 機能 | 制御・ソフトウェア |
| 適用製品 | 半導体発光素子及びその製造方法並びに発光モジュール |
| 目的 | 半導体発光素子から放射される深紫外光の出力を増加させること。
本発明の別の目的は、放射される深紫外光の出力が増加された半導体発光素子を、高スループット、安価かつ容易に製造することができる、半導体発光素子の製造方法を提供すること。 本発明のさらに別の目的は、発光モジュールから放射される深紫外光の出力を増加させること。 |
| 効果 | 半導体発光素子から放射される深紫外光の出力が増加され得る。 |
技術概要) |
第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面とを有する基板と、
前記第１の主面上に設けられた半導体層とを備え、前記半導体層は深紫外光を放射し得るように構成されている活性領域を含み、さらに、 前記第２の主面上に形成された周期的凹凸構造を備え、前記周期的凹凸構造は、前記第２の主面から突出する複数の突起部を含み、 前記第２の主面の第２の平面視における前記活性領域の第１の面積は、０．１５ｍｍ↑2以上であり、 前記第２の主面の前記第２の平面視における前記第２の主面の第２の面積に対する、前記第２の主面の前記第２の平面視における前記複数の突起部の第３の面積の比は、６０％以上１００％以下であり、 前記複数の突起部は、各々、０．６以上のアスペクト比を有する、半導体発光素子。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
アピール情報
| アピール内容 | 国立研究開発法人情報通信研究機構(NICT)では、みなさまに
ご活用いただきたい成果(シーズ)を、以下に公開しています。 製品化や技術移転など、お気軽にご相談ください。 https://www2.nict.go.jp/oihq/seeds/ |
|---|
登録者情報
| 登録者名称 | |
|---|---|
その他の情報
| 関連特許 |
|
|---|