半導体発光素子及びその製造方法並びに発光モジュール

開放特許情報番号
L2019000474
開放特許情報登録日
2019/4/17
最新更新日
2019/4/17

基本情報

出願番号 特願2017-071728
出願日 2017/3/31
出願人 国立研究開発法人情報通信研究機構
公開番号 特開2018-174238
公開日 2018/11/8
発明の名称 半導体発光素子及びその製造方法並びに発光モジュール
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 半導体発光素子及びその製造方法並びに発光モジュール
目的 半導体発光素子から放射される深紫外光の出力を増加させること。
本発明の別の目的は、放射される深紫外光の出力が増加された半導体発光素子を、高スループット、安価かつ容易に製造することができる、半導体発光素子の製造方法を提供すること。
本発明のさらに別の目的は、発光モジュールから放射される深紫外光の出力を増加させること。
効果 半導体発光素子から放射される深紫外光の出力が増加され得る。
技術概要
第1の主面と、前記第1の主面とは反対側の第2の主面とを有する基板と、
前記第1の主面上に設けられた半導体層とを備え、前記半導体層は深紫外光を放射し得るように構成されている活性領域を含み、さらに、
前記第2の主面上に形成された周期的凹凸構造を備え、前記周期的凹凸構造は、前記第2の主面から突出する複数の突起部を含み、
前記第2の主面の第2の平面視における前記活性領域の第1の面積は、0.15mm↑2以上であり、
前記第2の主面の前記第2の平面視における前記第2の主面の第2の面積に対する、前記第2の主面の前記第2の平面視における前記複数の突起部の第3の面積の比は、60%以上100%以下であり、
前記複数の突起部は、各々、0.6以上のアスペクト比を有する、半導体発光素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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