ＭＦＳ型の電界効果トランジスタ
- 開放特許情報番号
- L2019000449
- 開放特許情報登録日
- 2019/4/12
- 最新更新日
- 2019/4/12
基本情報
| 出願番号 | 特願2017-052989 |
|---|---|
| 出願日 | 2017/3/17 |
| 出願人 | 国立大学法人金沢大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2018/10/4 |
| 発明の名称 | ＭＦＳ型の電界効果トランジスタ |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | 電界効果トランジスタ |
| 目的 | ドーパントとしてホウ素を用いたダイヤモンドの上に強誘電体を絶縁膜としてゲート電極を形成した電界効果トランジスタの提供。 |
| 効果 | 本発明に係るＦＥＴはデプレッション型のｐチャネルＦＥＴ動作を示し、非特許文献２に記載のＭＥＳＦＥＴと比較すると、室温での観測値は約１０倍の最大ドレイン電流密度を示した。 |
技術概要) |
ドーパントとしてホウ素を用いたボロンドープダイヤモンドの上に、ゲート絶縁膜として強誘電体が用いられていることを特徴とする電界効果トランジスタ。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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