半導体光デバイス、半導体光源、光集積回路、及び半導体光デバイスの製造方法

開放特許情報番号
L2019000435
開放特許情報登録日
2019/4/10
最新更新日
2019/4/10

基本情報

出願番号 特願2017-121137
出願日 2017/6/21
出願人 国立研究開発法人情報通信研究機構
公開番号 特開2019-009169
公開日 2019/1/17
発明の名称 半導体光デバイス、半導体光源、光集積回路、及び半導体光デバイスの製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体光デバイス、半導体光源、光集積回路、及び半導体光デバイスの製造方法
目的 高い温度環境下においても、安定に動作し、高い性能を発揮する半導体光デバイス、半導体光源、光集積回路、及び半導体光デバイスの製造方法を提供すること。
効果 コンタクト層は、第1不純物及び第2不純物を含む。このため、室温環境下からの温度上昇に伴う閾値電流の上昇を、抑制することができる。これにより、高い温度環境下においても、安定に動作し、高い性能を発揮することが可能となる。
技術概要
基板の上に設けられた活性層と、前記活性層の上に設けられたクラッド層とを備える半導体光デバイスであって、前記クラッド層の上に設けられ、第1不純物及び前記第1不純物とは異なる第2不純物を含むコンタクト層を備えること を特徴とする半導体光デバイス。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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