半導体膜形成方法

開放特許情報番号
L2019000392
開放特許情報登録日
2019/3/15
最新更新日
2019/3/15

基本情報

出願番号 特願2017-039028
出願日 2017/3/2
出願人 国立大学法人九州工業大学
公開番号 特開2018-147946
公開日 2018/9/20
発明の名称 半導体膜形成方法
技術分野 電気・電子、無機材料、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体膜形成方法
目的 熱安定性を有し、化学気相蒸着後に基材から容易に除去可能なマスキング材を用いて、半導体膜を所定パターンに安定的に設けることが可能な半導体膜形成方法を提供する。
効果 本発明に係る半導体膜形成方法は、基材表面の所定領域にマスキング材としてSiCNO膜を形成するので、マスキング材に高い熱安定性を持たせると共に、化学気相蒸着後に基材からマスキング材を容易に除去することができ、半導体膜を所定パターンに安定的に設けることが可能である。
技術概要
基材に半導体膜を所定のパターンで設ける半導体膜形成方法において、
前記基材表面の所定領域にマスキング材であるSiCNO膜を形成する第1工程と、
水素ラジカルの発生及び前記基材の加熱を伴う化学気相蒸着によって、前記基材表面の前記SiCNO膜の非形成領域に前記半導体膜を設けると共に、前記SiCNO膜を脆化させる第2工程と、
脆化した前記SiCNO膜を前記基材から除去する第3工程とを有することを特徴とする半導体膜形成方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2019 INPIT