| 出願番号 |
特願2017-515549 |
| 出願日 |
2016/4/26 |
| 出願人 |
国立大学法人 筑波大学 |
| 公開番号 |
WO2016/175195 |
| 公開日 |
2016/11/3 |
| 登録番号 |
特許第6754355号 |
| 特許権者 |
国立大学法人 筑波大学 |
| 発明の名称 |
グラフェンおよび電子素子ならびにこれらの製造方法 |
| 技術分野 |
化学・薬品、電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造、加熱・冷却、洗浄・除去 |
| 適用製品 |
グラフェンの製造技術 |
| 目的 |
大面積かつ高品位のグラフェンを、従来法では到底成し得なかったほどの低温で製造する技術を提供すること。 |
| 効果 |
グラフェンを電子素子に応用することにより、その良伝導性、高い電子・正孔移動度、非弾性的な電子伝導性やスピン伝導性、力学的強度、光吸収および発光、熱伝導等の優位な特性により、高性能の電子素子を実現できる。 |
技術概要
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基板の主面に炭素六員環の生成核を形成する第１の工程と、
前記生成核の周りで２次元的に炭素六員環を形成してグラフェン膜とする第２の工程を備え、
前記第２の工程における炭素六員環の形成を３００℃以下の温度で実行する、グラフェンの製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)