| 出願番号 |
特願2017-037505 |
| 出願日 |
2017/2/28 |
| 出願人 |
国立大学法人 筑波大学 |
| 公開番号 |
特開2018-142672 |
| 公開日 |
2018/9/13 |
| 登録番号 |
特許第6985711号 |
| 特許権者 |
国立大学法人 筑波大学 |
| 発明の名称 |
半導体装置の製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造、加熱・冷却 |
| 適用製品 |
半導体装置とその製造方法 |
| 目的 |
基材にダメージを与える熱負荷を低減し、デバイス動作させたときに、従来よりも高いキャリア移動度や発電効率を実現する半導体装置と、その製造方法を提供すること。 |
| 効果 |
本発明の半導体装置は、その製造過程において、結晶核が発生しない範囲で結晶に近い密度の非晶質膜を形成し、これを固相成長させることによって得られる半導体膜を有している。この半導体膜は、大粒径化した結晶粒子からなる多結晶膜であるため、本発明の半導体装置をデバイス動作させたときに、従来よりも高いキャリア移動度を実現することができる。 |
技術概要
 |
基材と、
基材の一面に形成された半導体膜とを有し、
前記半導体膜は、平均粒径が１μｍ以上の結晶粒子からなる多結晶膜であることを特徴とする半導体装置。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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