出願番号 |
特願2005-330308 |
出願日 |
2005/11/15 |
出願人 |
国立大学法人山口大学 |
公開番号 |
特開2006-179872 |
公開日 |
2006/7/6 |
登録番号 |
特許第5098003号 |
特許権者 |
国立大学法人山口大学 |
発明の名称 |
超伝導導体、超伝導整流素子及びこれを用いた整流回路 |
技術分野 |
電気・電子 |
機能 |
機械・部品の製造 |
適用製品 |
超伝導導体、超伝導整流素子及びこれを用いた回路 |
目的 |
ダイオードのような整流素子についても、抵抗を小さく、電力の損失を少なくし、さらに大きな電流でも適用できるようにする。 |
効果 |
本発明により、ピンニングセンターに異方性を持たせることで、損失を伴う半導体ダイオードを用いず低損失の超伝導体を用いて、一方向にのみ無損失で大電流を流すことができる整流素子とすることができる。このような超伝導体を用いた整流素子は、従来の半導体ダイオードが用いられていた整流回路、スイッチング回路等に適用可能ものであり、半導体素子に付随した損失を格段に低減でき、大きな電流に対しても適用できる。 |
技術概要
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薄板状の超伝導体の一方または両方の面に、電流の流れる方向に平行に複数の溝または穴からなる凹部を、その各々の断面形状が電流の流れる方向に関して非対称形となるように形成し、その非対称形状により薄板状の超伝導体に垂直な方向の量子化磁束に作用するローレンツ力で量子化磁束が電流に垂直の方向に移動するのに抗するように生ずるピンニング力が電流の順逆に対して非対称になり、それによって順方向における臨界電流を大きく、逆方向における臨界電流を小さくする整流作用の機能を有する超伝導導体。 |
実施実績 |
【無】 |
許諾実績 |
【無】 |
特許権譲渡 |
【否】
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特許権実施許諾 |
【可】
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