分布定数型非可逆素子及び分布定数型非可逆素子用ガーネット単結晶
- 開放特許情報番号
- L2019000263
- 開放特許情報登録日
- 2019/2/19
- 最新更新日
- 2019/2/19
基本情報
| 出願番号 | 特願2005-079023 |
|---|---|
| 出願日 | 2005/3/18 |
| 出願人 | 国立大学法人山口大学、信越化学工業株式会社 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2006/9/28 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人山口大学 |
| 発明の名称 | 分布定数型非可逆素子及び分布定数型非可逆素子用ガーネット単結晶 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア、加熱・冷却 |
| 適用製品 | 分布定数型非可逆素子 |
| 目的 | 分布定数型非可逆素子の構造を複雑にすることなしに、横方向の小型化が可能な手段を提供すること。 |
| 効果 | 分布定数型非可逆素子を小型化することができる。実施例においては、直径3.3 mmの範囲で2 GHzで非可逆動作しており、従来の分布定数型非可逆素子の製品（15 mm角）と比べ劇的な小型化を実現している。このため、携帯電話などに好適に使用することが可能となる。 |
技術概要) |
永久磁石によりバイアス磁場を印加された軟磁性フェライトと、該軟磁性フェライトにマイクロ波を誘導するための入出力端子を有する中心導体および接地導体から成る分布定数型非可逆素子であって、
該軟磁性フェライトの飽和磁化4πM↓s、該軟磁性フェライト内部のバイアス磁場H↓（in）、及び磁気回転比γにより、式（１）及び式（２）でそれぞれ定義される周波数f↓1およびf↓2を用いて、 その非可逆動作周波数f↓（nr）が式（３）の関係を満たすように構成されたことを特徴とする分布定数型非可逆素子。 【数１】 【数２】 f↓1 < f↓（nr） < f↓2 （３） |
| イメージ図 | |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
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登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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