半導体部材の製造方法

開放特許情報番号
L2019000247
開放特許情報登録日
2019/2/18
最新更新日
2019/2/18

基本情報

出願番号 特願2006-002972
出願日 2006/1/10
出願人 国立大学法人山口大学
公開番号 特開2007-184504
公開日 2007/7/19
登録番号 特許第4915009号
特許権者 国立大学法人山口大学
発明の名称 半導体部材の製造方法
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 材料・素材の製造、加熱・冷却、洗浄・除去
適用製品 半導体部材の製造方法
目的 凹凸を有する基板の凸部からの結晶の成長と凹部からの結晶の成長とが交差することを防止して、表面の転位密度が低い半導体部材を得ること。
効果 凹凸を有する基板の凸部からの結晶の成長と凹部からの結晶の成長とが交差することが防止され、表面の転位密度が低い半導体部材が得られる。
技術概要
半導体部材の製造方法であって、
複数の凹部及び複数の凸部を有する基板を準備する準備工程と、
前記複数の凸部のそれぞれの上にIII族窒化物半導体を含む第1半導体をそのa面を上面として成長させ、これにより互いに離隔した複数の前記第1半導体を形成する第1成長工程と、
複数の前記第1半導体のそれぞれから少なくとも横方向にIII族窒化物半導体を含む第2半導体を成長させる第2成長工程と、
を含み、前記凹部の底面から前記凸部の上面までの距離が前記凹部の幅と等しいかそれより大きく、
前記第1成長工程で成長させる複数の前記第1半導体のそれぞれの断面が矩形形状を有し、前記第2成長工程では、複数の前記第1半導体の各々の一方の側面からの成長が他方の側面からの成長よりも支配的になる条件で前記第2半導体を成長させる、
ことを特徴とする半導体部材の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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