| 出願番号 |
特願2007-078580 |
| 出願日 |
2007/3/26 |
| 出願人 |
国立大学法人山口大学 |
| 公開番号 |
特開2008-243895 |
| 公開日 |
2008/10/9 |
| 登録番号 |
特許第5205613号 |
| 特許権者 |
国立大学法人山口大学 |
| 発明の名称 |
ＧａＮ層の選択成長方法 |
| 技術分野 |
電気・電子、無機材料、金属材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造、加熱・冷却 |
| 適用製品 |
ＧａＮ層の選択成長方法 |
| 目的 |
ＧａＮ層の成長方法を改善し、追加の工程を必要とすることなく転位密度低減を図ったＧａＮ層の選択成長方法を提供すること。 |
| 効果 |
凹凸を施した表面を有するサファイア基板上に、追加の工程を必要とすることなく成長条件を調整するのみで、転位密度の低いＧａＮ層の選択成長が実現される。 |
技術概要
 |
凹凸表面を有するサファイア基板に、アンモニアガス、水素及び窒素ガスを含む混合ガスを用いるＭＯＶＰＥ法によりＧａＮ層を形成する方法において、成長温度Ｔ（℃）とガス雰囲気に係るＦ値（＝水素流量／（水素流量＋窒素流量））（容積比）を下記関係に調整することを特徴とするＧａＮ層の形成方法。
Ｆ＞−０．００４Ｔ＋５．２
但し、Ｆ≦１．０ |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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