出願番号 |
特願2007-078580 |
出願日 |
2007/3/26 |
出願人 |
国立大学法人山口大学 |
公開番号 |
特開2008-243895 |
公開日 |
2008/10/9 |
登録番号 |
特許第5205613号 |
特許権者 |
国立大学法人山口大学 |
発明の名称 |
GaN層の選択成長方法 |
技術分野 |
電気・電子、無機材料、金属材料 |
機能 |
材料・素材の製造、加熱・冷却 |
適用製品 |
GaN層の選択成長方法 |
目的 |
GaN層の成長方法を改善し、追加の工程を必要とすることなく転位密度低減を図ったGaN層の選択成長方法を提供すること。 |
効果 |
凹凸を施した表面を有するサファイア基板上に、追加の工程を必要とすることなく成長条件を調整するのみで、転位密度の低いGaN層の選択成長が実現される。 |
技術概要
 |
凹凸表面を有するサファイア基板に、アンモニアガス、水素及び窒素ガスを含む混合ガスを用いるMOVPE法によりGaN層を形成する方法において、成長温度T(℃)とガス雰囲気に係るF値(=水素流量/(水素流量+窒素流量))(容積比)を下記関係に調整することを特徴とするGaN層の形成方法。
F>−0.004T+5.2
但し、F≦1.0 |
実施実績 |
【無】 |
許諾実績 |
【無】 |
特許権譲渡 |
【否】
|
特許権実施許諾 |
【可】
|