半導体発光素子及びその製造方法

開放特許情報番号
L2019000152
開放特許情報登録日
2019/2/7
最新更新日
2019/2/7

基本情報

出願番号 特願2010-540380
出願日 2009/11/26
出願人 国立大学法人山口大学
公開番号 WO2010/061617
公開日 2010/6/3
登録番号 特許第5464446号
特許権者 国立大学法人山口大学
発明の名称 半導体発光素子及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、加熱・冷却
適用製品 半導体発光素子及びその製造方法
目的 マスク層12の屈折率がSiO↓2の屈折率よりも大きく且つu-GaN層13の屈折率よりも小さいことにより、そのより顕著に高い効果を得ること。
効果 半導体発光素子及びその製造方法について有用である。
技術概要
GaNの結晶成長が可能な表面を有するサファイア基板と、
上記サファイア基板の表面を覆うように設けられ該サファイア基板の表面が部分的に露出する開口が形成されていると共にGaNの結晶成長が不能な表面を有するマスク層と、
上記マスク層及び該マスク層の開口から露出した上記サファイア基板の表面を覆うように設けられたGaN層と、
を備え、
上記マスク層は、酸化窒化ケイ素で形成されていると共に、その屈折率がSiO↓2の屈折率よりも大きく且つ上記GaN層の屈折率よりも小さく、そして、その屈折率が厚さ方向の上記GaN層側から上記サファイア基板側に向かって漸次小さく又は大きくなるように変化している半導体発光素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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