サファイア基板の製造方法、および半導体装置

開放特許情報番号
L2019000147
開放特許情報登録日
2019/2/7
最新更新日
2019/2/7

基本情報

出願番号 特願2009-070630
出願日 2009/3/23
出願人 国立大学法人山口大学
公開番号 特開2010-225787
公開日 2010/10/7
登録番号 特許第5196403号
特許権者 国立大学法人山口大学
発明の名称 サファイア基板の製造方法、および半導体装置
技術分野 無機材料、電気・電子、金属材料
機能 機械・部品の製造
適用製品 サファイア基板の製造方法、および半導体装置
目的 サファイア基板上に作製したLED素子の配光性の異方性が少なく、光取り出し効率の高い半導体装置の基板となるサファイア加工基板を簡単かつ安価に製造する方法を提供すること。
効果 少ない工程で且つ簡単・安価な方法で、サファイア基板上のランダムな位置に先細の複数の凸起を設けることができる。さらに、その基板を使うことで光取り出し効率の高い発光ダイオードを作製することができる。サファイア基板は、均一に且つ効率よく発光する半導体発光素子の基板となるので、照明用途等として有用である。
技術概要
サファイア薄板の一面に金属を蒸着する工程Aと、
前記工程Aの後に前記サファイア薄板を熱処理して前記金属を微粒子状態とする工程Bと、
前記微粒子状態の金属をマスクとして前記サファイア薄板の前記一面をエッチングする工程Cと
を含む、サファイア基板の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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