出願番号 |
特願2009-117791 |
出願日 |
2009/5/14 |
出願人 |
国立大学法人山口大学 |
公開番号 |
特開2010-267798 |
公開日 |
2010/11/25 |
登録番号 |
特許第5557180号 |
特許権者 |
国立大学法人山口大学 |
発明の名称 |
半導体発光素子の製造方法 |
技術分野 |
電気・電子 |
機能 |
機械・部品の製造、加熱・冷却、加圧・減圧 |
適用製品 |
半導体発光素子の製造方法 |
目的 |
第1半導体層上へのそれとは異なる第2半導体層を形成する新規な半導体発光素子の製造方法を提供すること。 |
効果 |
本発明によれば、基板の第1半導体層のc面の主面とは異なる露出した結晶成長面を起点として、第1半導体層を構成する半導体とは異なる半導体をヘテロ成長させ、それによって第1半導体層上に第2半導体層を形成する、つまり、結晶成長面からの横方向の結晶成長により第2半導体層を形成する。このような半導体発光素子の製造方法は従来にない新規なものである。 |
技術概要
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主面がc面であり且つ該主面とは異なる結晶成長面が露出したGaN層からなる第1半導体層を有する基板を用い、該基板の該第1半導体層の露出した結晶成長面を起点としてInGaNを結晶成長させることにより、該第1半導体層上にInGaN層からなる第2半導体層を形成する半導体発光素子の製造方法であって、
上記基板を、ベース基板上にストライプ状に複数のマスク層を設け、該マスク層間から幅1〜10μmで露出したベース基板の主面を起点としてアンドープのGaNを結晶成長させて上記第1半導体層を形成することにより作製し、
上記第2半導体層を、上記基板における上記第1半導体層の主面に対して傾斜したファセットを上記結晶成長面とし、該結晶成長面を起点としてInGaNを結晶成長させ、該基板の主面の法線方向に進展するように形成し、
上記第2半導体層上にエピタキシャル成長させることによりInGaN層からなる量子井戸層とGaN層からなる障壁層とが交互積層された多重量子井戸層を形成する半導体発光素子の製造方法。 |
実施実績 |
【無】 |
許諾実績 |
【無】 |
特許権譲渡 |
【否】
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特許権実施許諾 |
【可】
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