| 出願番号 |
特願2009-117791 |
| 出願日 |
2009/5/14 |
| 出願人 |
国立大学法人山口大学 |
| 公開番号 |
特開2010-267798 |
| 公開日 |
2010/11/25 |
| 登録番号 |
特許第5557180号 |
| 特許権者 |
国立大学法人山口大学 |
| 発明の名称 |
半導体発光素子の製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造、加熱・冷却、加圧・減圧 |
| 適用製品 |
半導体発光素子の製造方法 |
| 目的 |
第１半導体層上へのそれとは異なる第２半導体層を形成する新規な半導体発光素子の製造方法を提供すること。 |
| 効果 |
本発明によれば、基板の第１半導体層のｃ面の主面とは異なる露出した結晶成長面を起点として、第１半導体層を構成する半導体とは異なる半導体をヘテロ成長させ、それによって第１半導体層上に第２半導体層を形成する、つまり、結晶成長面からの横方向の結晶成長により第２半導体層を形成する。このような半導体発光素子の製造方法は従来にない新規なものである。 |
技術概要
 |
主面がｃ面であり且つ該主面とは異なる結晶成長面が露出したＧａＮ層からなる第１半導体層を有する基板を用い、該基板の該第１半導体層の露出した結晶成長面を起点としてＩｎＧａＮを結晶成長させることにより、該第１半導体層上にＩｎＧａＮ層からなる第２半導体層を形成する半導体発光素子の製造方法であって、
上記基板を、ベース基板上にストライプ状に複数のマスク層を設け、該マスク層間から幅１〜１０μｍで露出したベース基板の主面を起点としてアンドープのＧａＮを結晶成長させて上記第１半導体層を形成することにより作製し、
上記第２半導体層を、上記基板における上記第１半導体層の主面に対して傾斜したファセットを上記結晶成長面とし、該結晶成長面を起点としてＩｎＧａＮを結晶成長させ、該基板の主面の法線方向に進展するように形成し、
上記第２半導体層上にエピタキシャル成長させることによりＩｎＧａＮ層からなる量子井戸層とＧａＮ層からなる障壁層とが交互積層された多重量子井戸層を形成する半導体発光素子の製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)