| 出願番号 |
特願2010-079233 |
| 出願日 |
2010/3/30 |
| 出願人 |
国立大学法人山口大学 |
| 公開番号 |
特開2011-207725 |
| 公開日 |
2011/10/20 |
| 登録番号 |
特許第5598844号 |
| 特許権者 |
国立大学法人山口大学 |
| 発明の名称 |
マンガン酸化物の製造方法 |
| 技術分野 |
化学・薬品、電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
マンガン酸化物の製造方法 |
| 目的 |
カソード還元法により良好な電流応答が得られるとともに、安価なステンレス板を使用することができる、電荷貯蔵材料、触媒、吸着材、イオン交換体として有用な高い結晶性を有する層状マンガン酸化物の製造方法を提供する。 |
| 効果 |
カソード還元法により従来のアノード酸化法に比べて電流応答の優れたマンガン酸化物が得られる。
腐食の問題を回避しながらナノ層状マンガン酸化物を作製でき、電極基板として、安価なステンレス板の使用が可能となる。
電荷貯蔵材料、触媒、吸着材、イオン交換体として有用な高い結晶性を有する、ナノ層状マンガン酸化物を作製できる。 |
技術概要
 |
アルカリ金属イオン共存下で過マンガン酸イオン（ＭｎＯ↓４↑−）を、アルカリ金属イオンの過マンガン酸イオンに対するモル濃度比を１０〜１００の範囲にし且つ、電極に印加する電位を＋０．１７〜−０．０４Ｖ（対銀／塩化銀電極）の範囲にしてカソード還元することを特徴とする結晶性を有する層状マンガン酸化物の製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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