多波長発光素子及びその製造方法

開放特許情報番号
L2019000112
開放特許情報登録日
2019/2/4
最新更新日
2019/2/4

基本情報

出願番号 特願2011-053393
出願日 2011/3/10
出願人 国立大学法人山口大学
公開番号 特開2012-191013
公開日 2012/10/4
登録番号 特許第5822190号
特許権者 国立大学法人山口大学
発明の名称 多波長発光素子及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、加熱・冷却
適用製品 多波長発光素子及びその製造方法
目的 効率的な製造が可能な多波長発光素子及びその製造方法を提供すること。
効果 本発明によれば、面方位が相互に異なる第1及び第2結晶成長面から半導体が結晶成長して形成された、主面の結晶面が相互に異なる第1及び第2半導体層上には、同一の構成元素で且つ元素組成比が異なる半導体が結晶成長しても、及び/又は、同一の構成元素の半導体が層厚が異なって結晶成長しても、発光波長が異なる第1及び第2半導体発光層が形成され得ることから、第1及び第2半導体発光層を同一工程で形成することができ、従って、多波長発光素子の効率的な製造が可能となる。
技術概要
表面に面方位が相互に異なる第1、第2、及び第3結晶成長面を有すると共に該第1、第2、及び第3結晶成長面に対応する第1、第2、及び第3発光領域が構成されたサファイア基板と、
第1結晶成長面を起点としてドーパントがドープされていない半導体が結晶成長して形成された第1半導体層と、
第1半導体層の主面を起点としてドーパントがドープされた半導体がエピタキシャル結晶成長して形成された第1のドーパントがドープされた半導体層と、
所定の波長の光を発光する第1半導体発光層と、
第2結晶成長面を起点として形成された第2半導体層と、
第2のドーパントがドープされた半導体層と、第2半導体発光層と、
第3結晶成長面を起点として形成された第3半導体層と、
第3のドーパントがドープされた半導体層と、第3半導体発光層と、
を備え、
第1、第2、及び第3結晶成長面のうちのいずれかがサファイア基板の主面で、残りの2つのうちの一方がサファイア基板の表面に形成された第1凹溝の側面で、且つ他方がサファイア基板の表面に第1凹溝の延びる方向に角度を有して延びるように形成された第2凹溝の側面である赤、緑、及び青の光を発光するように構成された多波長発光素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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