多波長発光素子及びその製造方法

開放特許情報番号
L2019000111
開放特許情報登録日
2019/2/4
最新更新日
2019/2/4

基本情報

出願番号 特願2011-060133
出願日 2011/3/18
出願人 国立大学法人山口大学
公開番号 特開2012-195529
公開日 2012/10/11
登録番号 特許第5854419号
特許権者 国立大学法人山口大学
発明の名称 多波長発光素子及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、加熱・冷却、加圧・減圧
適用製品 多波長発光素子及びその製造方法
目的 従来にない新規な多波長発光素子及びその製造方法を提供すること。
効果 本発明は、第1発光領域において、第1半導体下地層の上に第1半導体発光層が積層されて設けられ、第2発光領域において、第1半導体下地層の上に配置された第1半導体下地層と同一の構成元素で且つ元素組成比が異なる半導体で形成された第2半導体下地層の上に第2半導体発光層が積層されて設けられた構成を有する従来にない新規な多波長発光素子である。
技術概要
主面が無極性面又は半極性面である半導体層の上に発光波長が異なる第1及び第2発光領域が構成された多波長発光素子であって、第1発光領域では、主面が無極性面又は半極性面である半導体層の上に配置された第1半導体下地層と、その上に積層された第1半導体発光層と、が設けられ、第2発光領域では、第1半導体下地層の上に配置された該第1半導体下地層と同一の構成元素で且つ元素組成比が異なる半導体で形成された第2半導体下地層と、その上に積層された第2半導体発光層と、が設けられており、第1半導体下地層及び第1半導体発光層、並びに第2半導体下地層及び第2半導体発光層のそれぞれは、半導体がエピタキシャル結晶成長して形成されていることにより、主面が無極性面又は半極性面である半導体層の主面と同一の結晶面を主面とし、第1発光領域では、主面が無極性面又は半極性面である半導体層の直上に第1半導体下地層が積層されていると共に、該第1半導体下地層の直上に第1半導体発光層が積層され、第2発光領域では、第1半導体下地層の直上に積層された第1半導体発光層の直上に第2半導体下地層が積層されていると共に、その直上に第2半導体発光層が積層されている多波長発光素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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