| 出願番号 |
特願2013-541636 |
| 出願日 |
2012/11/1 |
| 出願人 |
国立大学法人山口大学 |
| 公開番号 |
WO2013/065315 |
| 公開日 |
2013/5/10 |
| 登録番号 |
特許第6083676号 |
| 特許権者 |
国立大学法人山口大学 |
| 発明の名称 |
窒素がドープされたアモルファスシリコンカーバイドよりなるｎ型半導体及びｎ型半導体素子の製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子、金属材料 |
| 機能 |
機械・部品の製造、材料・素材の製造、加熱・冷却 |
| 適用製品 |
窒素がドープされたアモルファスシリコンカーバイドよりなるｎ型半導体及びその製造方法 |
| 目的 |
次世代半導体として着目されるシリコンカーバイドをベースとしたｎ型半導体素子の開発を目指し、低温で成膜可能で安価な広いバンドギャップを有する窒素がドープされたアモルファスシリコンカーバイド（ａ−ＳｉＣ）よりなるｎ型半導体の開発。 |
| 効果 |
容易に且つ極めて有効に窒素をドープしたアモルファスシリコンカーバイドよりなるｎ型半導体を合成することができる。シリコンカーバイトに後から窒素ガスを拡散又はイオン注入する方法に比べて安価に且つ、比較的高濃度で窒素がドープされたバンドギャップの広い高耐熱性、高耐薬品性の高電圧用のＭＯＳＦＥＩやショットキーダイオード或いは光電素子に用いられるｎ型半導体素子を得ることができる。 |
技術概要
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珪素、炭素及び窒素を有効成分とし、前記珪素と前記炭素の原子数比が１対３〜５であり、前記珪素と前記炭素の合計原子数に対して前記窒素の原子数が１〜５％であることを特徴とする窒素がドープされたアモルファスシリコンカーバイドよりなるｎ型半導体。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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