半導体発光素子
- 開放特許情報番号
- L2019000094
- 開放特許情報登録日
- 2019/1/31
- 最新更新日
- 2019/1/31
基本情報
出願番号 | 特願2014-502031 |
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出願日 | 2013/2/26 |
出願人 | 国立大学法人山口大学 |
公開番号 | |
公開日 | 2013/9/6 |
登録番号 | |
特許権者 | 国立大学法人山口大学 |
発明の名称 | 半導体発光素子 |
技術分野 | 電気・電子 |
機能 | 機械・部品の製造、加熱・冷却、加圧・減圧 |
適用製品 | 半導体発光素子 |
目的 | 高い発光効率を得ること。 |
効果 | 本発明は半導体発光素子について有用である。 |
技術概要![]() |
主面が{11−22}面のGaN層と、
上記GaN層の直上にIn↓xGa↓(1−x)N(0.01<x<0.05)がエピタキシャル成長して形成され、n型ドーパントを含有した厚さ0.2μm以上のInGaN層と、 上記InGaN層の直上にエピタキシャル成長して形成され、InGaNで形成された井戸層を含む紫色に発光するように構成された多重量子井戸層と、 を備え、 上記InGaN層は、上記GaN層との間の格子不整合による歪みが完全に又は部分的に緩和しており、 上記多重量子井戸層の発光波長に対する発光強度分布の半値全幅が40nm以下である半導体発光素子。 |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【無】 |
特許権譲渡 | 【否】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
登録者名称 | |
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その他の情報
関連特許 |
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