半導体発光素子
- 開放特許情報番号
- L2019000094
- 開放特許情報登録日
- 2019/1/31
- 最新更新日
- 2019/1/31
基本情報
| 出願番号 | 特願2014-502031 |
|---|---|
| 出願日 | 2013/2/26 |
| 出願人 | 国立大学法人山口大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2013/9/6 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人山口大学 |
| 発明の名称 | 半導体発光素子 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造、加熱・冷却、加圧・減圧 |
| 適用製品 | 半導体発光素子 |
| 目的 | 高い発光効率を得ること。 |
| 効果 | 本発明は半導体発光素子について有用である。 |
技術概要) |
主面が｛１１−２２｝面のＧａＮ層と、
上記ＧａＮ層の直上にＩｎ↓ｘＧａ↓（１−ｘ）Ｎ（０．０１＜ｘ＜０．０５）がエピタキシャル成長して形成され、ｎ型ドーパントを含有した厚さ０．２μｍ以上のＩｎＧａＮ層と、 上記ＩｎＧａＮ層の直上にエピタキシャル成長して形成され、ＩｎＧａＮで形成された井戸層を含む紫色に発光するように構成された多重量子井戸層と、 を備え、 上記ＩｎＧａＮ層は、上記ＧａＮ層との間の格子不整合による歪みが完全に又は部分的に緩和しており、 上記多重量子井戸層の発光波長に対する発光強度分布の半値全幅が４０ｎｍ以下である半導体発光素子。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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