膜厚方向に組成比が連続的に変化した薄膜の製造方法

開放特許情報番号
L2019000091
開放特許情報登録日
2019/1/31
最新更新日
2019/1/31

基本情報

出願番号 特願2012-087038
出願日 2012/4/6
出願人 国立大学法人山口大学
公開番号 特開2013-216933
公開日 2013/10/24
登録番号 特許第5688664号
特許権者 国立大学法人山口大学
発明の名称 膜厚方向に組成比が連続的に変化した薄膜の製造方法
技術分野 金属材料、情報・通信
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 膜厚方向に連続的に組成比が変化した薄膜の製造方法
目的 極めて容易な手段で、低ダメージ性を保って精度よく傾斜型組成薄膜を製造する方法を提供すること。
効果 2種類の磁束線パターンを同時に形成し得るスパッタ装置を用い、それぞれのターゲットを構成する材料を各対向するターゲット上に形成されるループ状の磁束線及び両ターゲット間に形成される磁束線の強度割合をそれぞれ別個に変化させることにより、それぞれのターゲットからスパッタされる量を変化させ、それらが堆積する基板上での堆積割合を変化させることにより、該堆積物の組成を連続的に変化させ、容易に傾斜型組成薄膜を形成することができる。
技術概要
一対のターゲットホルダーが対向して設けられ、各ターゲットホルダーには、それぞれ異なる材料よりなるターゲットが配置され、各ターゲット上にはそれぞれ磁束線のループを形成可能であり、且つ両ターゲット間にも磁束線形成可能である磁束分布可変型対向スパッタ装置を用い、各対向するターゲット上に形成されるループ状の磁束線及び両ターゲット間に形成される磁束線の強度割合を連続的に変化させつつスパッタリングする、基板上において厚さ方向に組成が連続的に変化した傾斜型組成薄膜の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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