半導体基板の製造方法
- 開放特許情報番号
- L2019000046
- 開放特許情報登録日
- 2019/1/24
- 最新更新日
- 2019/1/24
基本情報
| 出願番号 | 特願2015-026211 |
|---|---|
| 出願日 | 2015/2/13 |
| 出願人 | 国立大学法人山口大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2016/8/18 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人山口大学 |
| 発明の名称 | 半導体基板の製造方法 |
| 技術分野 | 無機材料、金属材料、電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造、加圧・減圧、接着・剥離 |
| 適用製品 | 半導体基板の製造方法 |
| 目的 | 気相成長法により反りの小さい半導体基板を製造すること。 |
| 効果 | ベース基板の両面に、交互に半導体を気相成長法により結晶成長させるので、ベース基板及び半導体の熱膨張係数等の物性定数の相違に起因した反りが両面間で相殺され、その結果、反りの小さい半導体基板を製造することができる。 |
技術概要) |
ベース基板に半導体を気相成長法により結晶成長させて半導体基板を製造する方法であって、
前記ベース基板の一方の主面に原料ガスを接触させて前記ベース基板上に前記半導体を結晶成長させる一の工程と、 前記ベース基板の他方の主面に原料ガスを接触させて前記ベース基板上に前記半導体を結晶成長させる他の工程と、 を含み、 前記ベース基板を、前記ベース基板の法線方向に対して垂直な軸を中心として回動可能に設け、 前記ベース基板を、前記一の工程では、前記一方の主面が前記原料ガスに対向し、且つ前記他の工程では、前記他方の主面が前記原料ガスに対向するように、前記軸を中心として反転させ、 前記原料ガスを継続的に供給しながら、前記ベース基板を、その回転数を０．１〜１００ｒｐｍとして、前記軸を中心として連続的に回転させることにより前記一の工程と前記他の工程とを交互に行う半導体基板の製造方法。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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