真空チャネルトランジスタおよびその製造方法

開放特許情報番号
L2019000040
開放特許情報登録日
2019/1/23
最新更新日
2019/1/23

基本情報

出願番号 特願2017-518012
出願日 2016/5/13
出願人 国立大学法人山口大学
公開番号 WO2016/182080
公開日 2016/11/17
登録番号 特許第6341551号
特許権者 国立大学法人山口大学
発明の名称 真空チャネルトランジスタおよびその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、加熱・冷却、接着・剥離
適用製品 真空チャネルトランジスタおよびその製造方法
目的 窒化ガリウム−窒化アルミニウム混晶半導体を使用した半導体素子および真空チャネルトランジスタにおいて、電子放出の効率を向上させ、電子放出のためのしきい電圧を低下させた半導体素子および真空チャネルトランジスタを提供すること。また、そのような真空チャネルトランジスタの製造方法を提供すること。
効果 本発明の半導体素子としての真空チャネルトランジスタは、窒化ガリウム−窒化アルミニウム混晶半導体を使用し、ソース電極における電子の主要な放出方向を結晶構造のc軸方向としたので、電子放出の効率を最大限に向上させ、電子放出のためのしきい電圧を著しく低減させることができる。これにより、真空チャネルトランジスタの動作速度を大幅に向上させることができ、1THz〜10THzの周波数範囲内での動作も可能となる。それに加えて、本発明の真空チャネルトランジスタでは、消費電力の大幅な低減を実現することができる。
技術概要
窒化アルミニウムが分子数の比で全体の0.65以上となる窒化ガリウム−窒化アルミニウム混晶半導体のウルツ鉱型構造の結晶からなる電極を有し、
前記電極は、電子の主要な放出方向と結晶構造のc軸方向とのなす角度が30度以下となるように配置されたものである半導体素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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