半導体基板の製造方法

開放特許情報番号
L2019000039
開放特許情報登録日
2019/1/23
最新更新日
2019/1/23

基本情報

出願番号 特願2015-149146
出願日 2015/7/29
出願人 国立大学法人山口大学
公開番号 特開2017-030984
公開日 2017/2/9
発明の名称 半導体基板の製造方法
技術分野 無機材料、金属材料、電気・電子
機能 機械・部品の製造、加熱・冷却、加圧・減圧
適用製品 半導体基板の製造方法
目的 ベース基板上に結晶品質が良好な半導体層を得ること。
効果 本発明によれば、ベース基板の表面を被覆する薄膜に形成された多数の開口から露出したベース基板の表面から相対的に低温で半導体を堆積させて薄膜上にLT-半導体層を形成した後、LT-半導体層から相対的に高温で半導体を結晶成長させてLT-半導体層上にHT-半導体層を形成することにより、ベース基板上に結晶品質が良好なHT-半導体層を得ることができる。
技術概要
ベース基板の表面を、多数の開口が形成された薄膜で被覆し、前記薄膜の多数の開口から露出した前記ベース基板の表面から相対的に低温で半導体を堆積させて前記薄膜上にLT-半導体層を形成した後、前記LT-半導体層から相対的に高温で半導体を結晶成長させて前記LT-半導体層上にHT-半導体層を形成する半導体基板の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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