モザイク荷電膜の製造方法及びモザイク荷電膜

開放特許情報番号
L2019000030
開放特許情報登録日
2019/1/23
最新更新日
2019/1/23

基本情報

出願番号 特願2016-144294
出願日 2016/7/22
出願人 国立大学法人山口大学
公開番号 特開2018-012084
公開日 2018/1/25
発明の名称 モザイク荷電膜の製造方法及びモザイク荷電膜
技術分野 機械・加工
機能 材料・素材の製造、洗浄・除去
適用製品 モザイク荷電膜の製造方法及びモザイク荷電膜
目的 電解質の透過流束や電解質選択透過性が大きく、機械的強度に優れたモザイク荷電膜の製造方法及びモザイク荷電膜を提供すること。
効果 本発明の製造方法は、電解質の透過流束や電解質選択透過性が大きく、機械的強度に優れたモザイク荷電膜を製造することができる。また、得られたモザイク荷電膜は、電解質の透過流束や電解質選択透過性が大きく、機械的強度に優れているため、電解質と非電解質の分離や、電解質の除去(脱塩)等を効率よく行うことができ、拡散透析だけでなく圧透析にも用いることができる。水の精製、食品や医薬原材料の脱塩、かん水や海水の脱塩、淡水化をするのに適している。本発明の製造方法によれば、大面積の膜を、容易にかつ低コストで製造することができる。
技術概要
(1)正荷電基又は負荷電基を有する高分子膜にイオンビームを照射する工程、及び
(2)前記イオンビームを照射した箇所に、前記高分子膜の荷電基とは反対符号の正荷電基又は負荷電基を有するモノマーをグラフト重合する、あるいは前記イオンビームを照射した箇所に、正荷電基又は負荷電基を化学反応により導入可能な反応基を有するモノマーをグラフト重合し、その後、前記高分子膜の荷電基とは反対符号の正荷電基又は負荷電基を導入する工程、
を含む工程によりモザイク荷電層を形成することを特徴とするモザイク荷電膜の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2019 INPIT