半導体センシングデバイス

開放特許情報番号
L2018002631
開放特許情報登録日
2018/12/24
最新更新日
2018/12/24

基本情報

出願番号 特願2017-091787
出願日 2017/5/2
出願人 学校法人早稲田大学
公開番号 特開2018-189484
公開日 2018/11/29
発明の名称 半導体センシングデバイス
技術分野 情報・通信
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体センシングデバイス
目的 長期間にわたって溶液に浸漬した場合であっても、センサー特性を失うことなく、安定して測定が可能な半導体センシングデバイスを提供する。
効果 溶液耐性が高く、長期間にわたって溶液中に浸漬した場合であっても、安定して生理的条件下における検出が可能となる。
バイオセンサーとして好適に使用できる。
技術概要
半導体上1に反応ゲート絶縁部としてシリコン酸化物又は無機酸化物を含む第1の絶縁層2が形成された電界効果トランジスタの前記第1の絶縁層の上に、反応性官能基を有するアルコキシシランの単分子膜からなる第1の有機単分子膜3を形成し、該第1の有機単分子膜上にグラフェン類を含む層11を形成してなる、グラフェン類含有層/有機単分子膜/絶縁層/半導体構造を検出部として備える半導体センシングデバイス。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 本件は、『早稲田大学技術シーズ集(問合NO.1936)』に掲載されている案件です。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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