薄膜および薄膜形成方法

開放特許情報番号
L2018002616
開放特許情報登録日
2018/12/21
最新更新日
2018/12/21

基本情報

出願番号 特願2017-516605
出願日 2016/4/28
出願人 学校法人慶應義塾
公開番号 WO2016/178406
公開日 2016/11/10
発明の名称 薄膜および薄膜形成方法
技術分野 金属材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 基材の表面に形成された薄膜およびその薄膜の形成方法
目的 基材表面に真空を利用したプラズマCVD法によって得られる薄膜と同等もしくはそれ以上の高機能性(硬度および耐摩耗性等)を有し、かつ基材との密着性の高い薄膜およびその薄膜形成方法を提供すること。
効果 基材表面に真空を利用したプラズマCVD法によって得られる薄膜と同等もしくはそれ以上の高機能性(硬度および耐摩耗性等)を有し、かつ基材との密着性の高い薄膜およびその薄膜形成方法を提供することができる。
技術概要
基材の表面に設けられた薄膜において、
該薄膜は、該薄膜の内表面から該薄膜の外表面に向かうにつれて粒界密度が連続的または断続的に小さくなる傾斜構造を有し、
前記薄膜の前記基材の表面に接する最内部領域は、粒界の粒径が10〜30nmである粒界構造を有することを特徴とする薄膜。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 学校法人慶應義塾

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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