スピントロニクスデバイス及びこれを用いた記憶装置

開放特許情報番号
L2018002610
開放特許情報登録日
2018/12/21
最新更新日
2018/12/21

基本情報

出願番号 特願2016-107379
出願日 2016/5/30
出願人 学校法人慶應義塾
公開番号 特開2017-216286
公開日 2017/12/7
発明の名称 スピントロニクスデバイス及びこれを用いた記憶装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 スピントロニクスデバイス及びこれを用いた記憶装置
目的 電流−スピン流変換効率を向上させることができるスピントロニクスデバイス及びこれを用いた記憶装置を提供すること。
効果 電流−スピン流変換効率を向上させることができるスピントロニクスデバイス及びこれを用いた記憶装置を提供することができる。
技術概要
強磁性層と、
前記強磁性層上に設けられ、スピン軌道相互作用を示す金属からなる常磁性層と、
前記常磁性層上に設けられた前記常磁性層の酸化物からなる酸化膜
とを備えることを特徴とするスピントロニクスデバイス。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 学校法人慶應義塾

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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