光電変換素子の製造方法およびp型半導体層の製造方法

開放特許情報番号
L2018002553
開放特許情報登録日
2018/12/19
最新更新日
2018/12/19

基本情報

出願番号 特願2014-038691
出願日 2014/2/28
出願人 学校法人金沢工業大学
公開番号 特開2015-162650
公開日 2015/9/7
登録番号 特許第6276610号
特許権者 学校法人金沢工業大学
発明の名称 光電変換素子の製造方法およびp型半導体層の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、加熱・冷却、洗浄・除去
適用製品 光電変換素子技術
目的 安価な材料を用いた光電変換装置において、変換効率を向上する技術を提供すること。
効果 安価な材料を用いた光電変換装置において、変換効率を向上することができる。
技術概要
多結晶のCu↓2Oからなる第1の半導体層を準備する準備工程と、
金属ハロゲン化物が存在する雰囲気で前記第1の半導体層を熱処理する熱処理工程と、
前記第1の半導体層の上に第2の半導体層を形成する半導体形成工程と、
前記第2の半導体層の上に透明導電層を形成する導電層形成工程と、を含み、
前記熱処理工程は、前記第1の半導体層を前記金属ハロゲン化物で被覆した状態で行われることを特徴とする光電変換素子の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT