活性層の製造方法、および光電変換素子

開放特許情報番号
L2018002541
開放特許情報登録日
2018/12/19
最新更新日
2018/12/19

基本情報

出願番号 特願2016-036990
出願日 2016/2/29
出願人 学校法人金沢工業大学
公開番号 特開2017-157596
公開日 2017/9/7
発明の名称 活性層の製造方法、および光電変換素子
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア、加熱・冷却
適用製品 光電変換素子の技術
目的 主として亜酸化銅からなる高品質な活性層を従来より低温で作製する技術を提供すること。
効果 主として亜酸化銅からなる高品質な活性層を従来より低温で作製できる。
技術概要
金属元素が添加された多結晶の亜酸化銅からなる半導体基板を準備する工程と、
少なくとも銅イオンを含む100℃未満のアルカリ水溶液に前記半導体基板を浸漬し、該半導体基板の上に亜酸化銅をエピタキシャル成長させて亜酸化銅薄膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする活性層の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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