光電変換素子および光電変換素子の製造方法

開放特許情報番号
L2018002540
開放特許情報登録日
2018/12/19
最新更新日
2018/12/19

基本情報

出願番号 特願2016-180711
出願日 2016/9/15
出願人 学校法人金沢工業大学
公開番号 特開2018-046196
公開日 2018/3/22
発明の名称 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
技術分野 電気・電子、化学・薬品
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア、加熱・冷却
適用製品 光電変換素子の技術
目的 n形またはi形の亜酸化銅を実現する新たな技術を提供すること。
効果 亜酸化銅のホモ接合を実現できる。
技術概要
多結晶のCu↓2Oを主成分とするp形の第1半導体層と、
前記第1半導体層の上に設けられている、Cu↓2Oを主成分とするn形またはi形の第2半導体層と、を備え、
前記第2半導体層は、Mnが添加されていることを特徴とする光電変換素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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