光電変換素子および光電変換素子の製造方法

基本情報

出願番号	特願2016-180711
出願日	2016/9/15
出願人	学校法人金沢工業大学
公開番号	特開2018-046196
公開日	2018/3/22
登録番号	特許第6764187号
特許権者	学校法人金沢工業大学
発明の名称	光電変換素子および光電変換素子の製造方法
技術分野	電気・電子、化学・薬品
機能	機械・部品の製造、制御・ソフトウェア、加熱・冷却
適用製品	光電変換素子の技術
目的	ｎ形またはｉ形の亜酸化銅を実現する新たな技術を提供すること。
効果	亜酸化銅のホモ接合を実現できる。
技術概要	多結晶のＣｕ↓２Ｏを主成分とするｐ形の第１半導体層と、前記第１半導体層の上に設けられている、Ｃｕ↓２Ｏを主成分とするｎ形またはｉ形の第２半導体層と、を備え、前記第２半導体層は、Ｍｎが添加されていることを特徴とする光電変換素子。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者名称	学校法人金沢工業大学