SiC半導体素子及びその製造方法

開放特許情報番号
L2018002501
開放特許情報登録日
2018/12/12
最新更新日
2018/12/12

基本情報

出願番号 特願2016-134310
出願日 2016/7/6
出願人 国立大学法人京都大学
公開番号 特開2018-006646
公開日 2018/1/11
発明の名称 SiC半導体素子及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 SiC半導体素子、及びその製造方法
目的 オン電圧の低い、高耐圧・低損失のSiC半導体素子、及びその製造方法を提供すること。
効果 オン電圧の低い、高耐圧・低損失のSiC半導体素子、及びその製造方法を提供することができる。
技術概要
第1導電型のSiC基板の一方の主面上に、PiNダイオードが形成された第1領域と、ショットキーバリアダイオード(SBD)が形成された第2領域とが並列して形成されたSiC半導体素子であって、
前記SiC基板の一方の主面上に、第1導電型のSiCからなる耐圧維持層が形成されており、
前記第1領域において、前記耐圧維持層上に、第2導電型のSiCからなるエピタキシャル層が選択的に形成され、かつ、前記エピタキシャル層上に、オーミック接合された第1電極が形成されており、
前記第2領域において、前記耐圧維持層上に、ショットキー接合された第2電極が形成されており、
前記SiC基板の他方の主面上に、第3電極が形成されており、
前記第1電極及び前記第2電極は、電気的に導通している、SiC半導体素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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