SiC接合型電界効果トランジスタ及びSiC相補型接合型電界効果トランジスタ
- 開放特許情報番号
- L2018002500
- 開放特許情報登録日
- 2018/12/12
- 最新更新日
- 2023/1/23
基本情報
出願番号 | 特願2016-106386 |
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出願日 | 2016/5/27 |
出願人 | 国立大学法人京都大学 |
公開番号 | |
公開日 | 2017/11/30 |
登録番号 | |
特許権者 | 国立大学法人京都大学 |
発明の名称 | SiC接合型電界効果トランジスタ及びSiC相補型接合型電界効果トランジスタ |
技術分野 | 電気・電子 |
機能 | 機械・部品の製造 |
適用製品 | SiC接合型電界効果トランジスタ及びSiC相補型接合型電界効果トランジスタ |
目的 | 高温で安定に動作可能で、消費電力が極めて小さく、かつ作製が容易な、ノーマリオフ型のSiC接合型電界効果トランジスタ及びSiC相補型接合型電界効果トランジスタを提供すること。 |
効果 | 高温で安定に動作可能で、消費電力が極めて小さく、かつ作製が容易な、ノーマリオフ型のSiC接合型電界効果トランジスタ及びSiC相補型接合型電界効果トランジスタを提供することができる。 |
技術概要![]() |
半絶縁性SiC基板と、
前記半絶縁性SiC基板の主面に形成された第1導電型のチャネル領域と、 前記チャネル領域の主面に形成された第2導電型のゲート領域と、 前記チャネル領域の主面であって、前記ゲート領域を挟んで形成された第1導電型のソース領域及びドレイン領域と を備えたノーマリオフ型のSiC接合型電界効果トランジスタであって、 前記チャネル領域の不純物濃度をN(cm↑−3)、前記ゲート領域下における前記チャネル領域の厚さをD(cm)としたとき、ND↑2<3×10↑7cm↑−1を満たすことを特徴とするSiC接合型電界効果トランジスタ。 |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【無】 |
特許権譲渡 | 【否】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
アピール情報
アピール内容 | 京都大学「産学連携情報プラットフォーム(フィロ)」をご紹介します。
産学連携の新たな取り組みなど、有益な情報を発信しています。 https://philo.saci.kyoto-u.ac.jp/ |
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登録者情報
登録者名称 | |
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その他の情報
関連特許 |
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