SiC接合型電界効果トランジスタ及びSiC相補型接合型電界効果トランジスタ

開放特許情報番号
L2018002500
開放特許情報登録日
2018/12/12
最新更新日
2018/12/12

基本情報

出願番号 特願2016-106386
出願日 2016/5/27
出願人 国立大学法人京都大学
公開番号 特開2017-212397
公開日 2017/11/30
発明の名称 SiC接合型電界効果トランジスタ及びSiC相補型接合型電界効果トランジスタ
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 SiC接合型電界効果トランジスタ及びSiC相補型接合型電界効果トランジスタ
目的 高温で安定に動作可能で、消費電力が極めて小さく、かつ作製が容易な、ノーマリオフ型のSiC接合型電界効果トランジスタ及びSiC相補型接合型電界効果トランジスタを提供すること。
効果 高温で安定に動作可能で、消費電力が極めて小さく、かつ作製が容易な、ノーマリオフ型のSiC接合型電界効果トランジスタ及びSiC相補型接合型電界効果トランジスタを提供することができる。
技術概要
半絶縁性SiC基板と、
前記半絶縁性SiC基板の主面に形成された第1導電型のチャネル領域と、
前記チャネル領域の主面に形成された第2導電型のゲート領域と、
前記チャネル領域の主面であって、前記ゲート領域を挟んで形成された第1導電型のソース領域及びドレイン領域と
を備えたノーマリオフ型のSiC接合型電界効果トランジスタであって、
前記チャネル領域の不純物濃度をN(cm↑−3)、前記ゲート領域下における前記チャネル領域の厚さをD(cm)としたとき、ND↑2<3×10↑7cm↑−1を満たすことを特徴とするSiC接合型電界効果トランジスタ。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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