ＳｉＣ接合型電界効果トランジスタ及びＳｉＣ相補型接合型電界効果トランジスタ
- 開放特許情報番号
- L2018002500
- 開放特許情報登録日
- 2018/12/12
- 最新更新日
- 2023/1/23
基本情報
| 出願番号 | 特願2016-106386 |
|---|---|
| 出願日 | 2016/5/27 |
| 出願人 | 国立大学法人京都大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2017/11/30 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人京都大学 |
| 発明の名称 | ＳｉＣ接合型電界効果トランジスタ及びＳｉＣ相補型接合型電界効果トランジスタ |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | ＳｉＣ接合型電界効果トランジスタ及びＳｉＣ相補型接合型電界効果トランジスタ |
| 目的 | 高温で安定に動作可能で、消費電力が極めて小さく、かつ作製が容易な、ノーマリオフ型のＳｉＣ接合型電界効果トランジスタ及びＳｉＣ相補型接合型電界効果トランジスタを提供すること。 |
| 効果 | 高温で安定に動作可能で、消費電力が極めて小さく、かつ作製が容易な、ノーマリオフ型のＳｉＣ接合型電界効果トランジスタ及びＳｉＣ相補型接合型電界効果トランジスタを提供することができる。 |
技術概要) |
半絶縁性ＳｉＣ基板と、
前記半絶縁性ＳｉＣ基板の主面に形成された第１導電型のチャネル領域と、 前記チャネル領域の主面に形成された第２導電型のゲート領域と、 前記チャネル領域の主面であって、前記ゲート領域を挟んで形成された第１導電型のソース領域及びドレイン領域と を備えたノーマリオフ型のＳｉＣ接合型電界効果トランジスタであって、 前記チャネル領域の不純物濃度をＮ（ｃｍ↑−３）、前記ゲート領域下における前記チャネル領域の厚さをＤ（ｃｍ）としたとき、ＮＤ↑２＜３×１０↑７ｃｍ↑−１を満たすことを特徴とするＳｉＣ接合型電界効果トランジスタ。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
アピール情報
| アピール内容 | 京都大学「産学連携情報プラットフォーム（フィロ）」をご紹介します。
産学連携の新たな取り組みなど、有益な情報を発信しています。 https://philo.saci.kyoto-u.ac.jp/ |
|---|
登録者情報
| 登録者名称 | |
|---|---|
その他の情報
| 関連特許 |
|
|---|