ガスクラスターイオンビーム照射装置

開放特許情報番号
L2018002419
開放特許情報登録日
2018/12/5
最新更新日
2018/12/5

基本情報

出願番号 特願2004-343294
出願日 2004/11/29
出願人 株式会社日立製作所、国立大学法人京都大学
公開番号 特開2006-156065
公開日 2006/6/15
登録番号 特許第4636862号
特許権者 国立大学法人京都大学
発明の名称 ガスクラスターイオンビーム照射装置
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 機械・部品の製造
適用製品 ガスクラスターイオンビーム照射装置
目的 加工損傷をナノメートルレベルに低減すること。
効果 従来のモノマーイオンビームと比べて1桁高いスパッタ率が得られるというガスクラスターイオンビームの特長を生かしつつ、ワーク加工面に対して垂直方向へのエネルギー成分を低減することで、モノマーイオンビームでは実現し得ない低損傷での平坦化加工が可能となる。具体的には、従来のモノマーイオンビームでは斜めから照射しても、1次イオンの侵入が避けられなかったが、ガスクラスターイオンビームでは本質的に1次イオンの侵入を抑制することができる。
技術概要
クラスター発生機構、前記クラスター発生機構で発生させたクラスターのイオン化機構、前記イオン化機構でイオン化させたクラスターイオンの加速機構を備えたガスクラスターイオンビーム照射装置であって、照射するガスクラスターイオンのサイズ(N)と照射エネルギー(E↓a)とワーク加工面の法線に対する角度(照射角:θ°)の関係が、0.02eV≦(Ea/N)×cos2θ≦0.5eVとなるように制御することを特徴とするガスクラスターイオンビーム照射装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT