シリコンナノウォール構造体およびその製造方法

開放特許情報番号
L2018002384
開放特許情報登録日
2018/11/13
最新更新日
2018/11/13

基本情報

出願番号 特願2017-045820
出願日 2017/3/10
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 特開2018-149611
公開日 2018/9/27
発明の名称 シリコンナノウォール構造体およびその製造方法
技術分野 化学・薬品、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 シリコンナノウォール構造体の製造技術
目的 シリコンウォールの貼り付きを生じさせずにシリコンナノウォール構造体を製造するための技術を提供すること。
効果 シリコンウォールの側壁面はエッチング液、洗浄液、酸化液等に触れた状態にあり、隣接するシリコンウォールとの貼り付きが防止されるため、エッチングにより、従来のものよりも薄いシリコンウォールの形成が可能である。
技術概要
シリコン基板上に複数のシリコンナノウォール(SNW)が実質的に等間隔でアレイ状に形成された構造体であって、
前記SNWの厚みの平均値Wが20nm以下であり、且つ、相互に隣接するSNWとの間隔Dが30nm以下である、
シリコンナノウォール構造体。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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