光電変換素子、光電変換素子の製造方法、積層型固体撮像素子および太陽電池

開放特許情報番号
L2018002174
開放特許情報登録日
2018/10/15
最新更新日
2018/10/15

基本情報

出願番号 特願2014-109207
出願日 2014/5/27
出願人 日本放送協会
公開番号 特開2015-233027
公開日 2015/12/24
登録番号 特許第6362257号
特許権者 日本放送協会
発明の名称 光電変換素子、光電変換素子の製造方法、積層型固体撮像素子および太陽電池
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 光電変換素子およびその製造方法、積層型固体撮像素子および太陽電池
目的 結晶セレン膜を光電変換部に用いた光電変換素子であって、逆バイアス電圧印加時の暗電流を大幅に低減できる光電変換素子およびその製造方法を提供すること。
効果 本発明の光電変換素子における半絶縁性金属酸化物膜と結晶セレン膜とのPN接合は、PN接合のエネルギー障壁が十分に高いものであるため、逆バイアス電圧の印加時に外部から注入される電荷を阻止できる。したがって、本発明の光電変換素子によれば、従来の結晶セレンを光電変換部に用いた光電変換素子と比較して、逆バイアス電圧印加時の暗電流を低減できる。また、暗電流を低減できるため、外部電圧を印加して分光感度特性を改善することができる。
技術概要
酸化ガリウムからなる半絶縁性金属酸化物膜と、
前記半絶縁性金属酸化物膜の一方の面に接して配置された接合膜と、
前記接合膜の前記半絶縁性金属酸化物膜と反対側の面に接して配置された光電変換層である結晶セレン膜とを有することを特徴とする光電変換素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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