スピン注入磁化反転素子

開放特許情報番号
L2018002101
開放特許情報登録日
2018/10/8
最新更新日
2018/10/8

基本情報

出願番号 特願2014-029994
出願日 2014/2/19
出願人 日本放送協会
公開番号 特開2014-197671
公開日 2014/10/16
登録番号 特許第6329384号
特許権者 日本放送協会
発明の名称 スピン注入磁化反転素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 スピン注入磁化反転素子
目的 Gd−Fe合金を磁化自由層に適用した垂直磁気異方性のTMR素子を提供すること。
効果 本発明に係るスピン注入磁化反転素子によれば、磁化自由層が、MgO膜からなる障壁層との界面にCo−Fe等の磁性金属膜を備えることにより、低電流で磁化反転可能で、かつMR比の高いトンネル磁気抵抗素子となり、さらにGd−Fe合金により垂直磁気異方性と高い光変調度を有するため、光変調素子として、磁気光学効果が高く、高精細化しても省電力化された空間光変調器とすることができる。
技術概要
それぞれが垂直磁気異方性を有する磁化固定層と磁化自由層の間に、MgOからなる障壁層を積層してなるスピン注入磁化反転素子であって、
前記磁化自由層は、前記障壁層との界面に設けられたCo−FeまたはCo−Fe−Bからなる磁性金属膜と、Gd−Feからなる層と、前記Gd−Feからなる層と前記磁性金属膜の間に設けられたGd膜と、を備えることを特徴とするスピン注入磁化反転素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2022 INPIT