光制御デバイス及びその製造方法、光集積回路並びに電磁波検出装置

開放特許情報番号

L2018002082

開放特許情報登録日

2018/10/3

最新更新日

2023/1/13

基本情報

出願番号	特願2017-001513
出願日	2017/1/9
出願人	国立研究開発法人情報通信研究機構
公開番号	特開2018-112593
公開日	2018/7/19
登録番号	特許第6888231号
特許権者	国立研究開発法人情報通信研究機構
発明の名称	光制御デバイス及びその製造方法、光集積回路並びに電磁波検出装置
技術分野	情報・通信
機能	機械・部品の製造、制御・ソフトウェア、検査・検出
適用製品	光制御デバイス及びその製造方法、光集積回路並びに電磁波検出装置
目的	大きな二次非線形感受率を有する光学樹脂層を含み、かつ、低い光損失と高い歩留りとを有する光制御デバイス及びその製造方法を提供すること。 以上の光制御デバイスを備える光集積回路及び電磁波検出装置を提供すること。
効果	本発明の光制御デバイスによれば、大きな二次非線形感受率を有する光学樹脂層を含み、かつ、低い光損失と高い歩留りとを有する光制御デバイスが提供され得る。 本発明の電磁波検出装置は、大きな二次非線形感受率を有する光学樹脂層を含み、かつ、低い光損失と高い歩留りとを有する光制御デバイスを備えている。 本発明の光制御デバイスの製造方法によれば、大きな二次非線形感受率を有する光学樹脂層を含み、かつ、低い光損失と高い歩留りとを有する光制御デバイスが製造され得る。
技術概要	主面を有する基板と、 前記主面上に形成され、かつ、１次元フォトニック結晶部を含む導波路と、 前記主面上に形成され、かつ、前記１次元フォトニック結晶部を覆う光学樹脂層と、 前記主面上に形成されている第１の電極と、 前記主面上に形成されている第２の電極とを備え、 前記第１の電極及び前記第２の電極は、前記１次元フォトニック結晶部が延在する第１の方向と前記主面の法線に平行な第３の方向とに交差する第２の方向において、前記光学樹脂層の少なくとも一部と前記１次元フォトニック結晶部とを挟むように配置されており、 前記光学樹脂層は、前記第２の方向において最大の二次非線形感受率を有し、 前記１次元フォトニック結晶部の第１の熱光学係数は、前記光学樹脂層の第２の熱光学係数により補償されている、光制御デバイス。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

アピール情報

アピール内容	国立研究開発法人情報通信研究機構(NICT)では、みなさまに ご活用いただきたい成果(シーズ)を、以下に公開しています。 製品化や技術移転など、お気軽にご相談ください。 https://www2.nict.go.jp/oihq/seeds/

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人情報通信研究機構

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】