ポジトロン断層測定装置及びポジトロン断層測定画像の構成方法

開放特許情報番号
L2018001981
開放特許情報登録日
2018/9/12
最新更新日
2021/4/20

基本情報

出願番号 特願2016-233704
出願日 2016/11/30
出願人 国立大学法人千葉大学
公開番号 特開2018-091669
公開日 2018/6/14
登録番号 特許第6855047号
特許権者 国立大学法人千葉大学
発明の名称 ポジトロン断層測定装置及びポジトロン断層測定画像の構成方法
技術分野 情報・通信
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 ポジトロン断層測定装置及びポジトロン断層測定画像の構成方法
目的 より高性能なポジトロン断層測定装置及びポジトロン画像の構成方法を提供すること。
効果 より高性能なポジトロン断層測定装置及びポジトロン断層測定画像の構成方法を提供することができる。
技術概要
シンチレーター層と、前記シンチレーター層を挟み互いの延伸方向が異なる一対の波長変換ファイバー層とを備える検出部と、
前記シンチレーター層の発光位置を特定する発光位置特定部と、
前記発光位置推定部が推定する発光位置に基づき画像構成を行う画像構成部と、を備えるポジトロン断層測定装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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