SiC単結晶の製造方法

開放特許情報番号
L2018001838
開放特許情報登録日
2018/8/15
最新更新日
2019/10/28

基本情報

出願番号 特願2018-038847
出願日 2018/3/5
出願人 国立大学法人信州大学
公開番号 特開2019-151530
公開日 2019/9/12
発明の名称 SiC単結晶の製造方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 溶液法を用いるSiC単結晶の製造方法
目的 溶液法を利用して、より効率的にSiC単結晶を製造することを可能にするSiC単結晶の製造方法を提供する。
効果 SiとCrに加えて、添加材として遷移金属を加えることにより、Siに溶解促進材としてCrを加えてSiC単結晶を製造する従来方法と比べて、SiC単結晶の結晶成長速度を上昇させことが可能であり、より効率的にSiC単結晶を製造する方法として提供することができる。
技術概要
カーボンからなるるつぼを使用し、溶液法によりSiC単結晶を成長させるSiC単結晶の製造方法であって、
前記るつぼに、Siと、融液中にカーボンが溶解することを促進させる溶解促進材であるCrに加えて、添加材として遷移金属を供給してSiC単結晶を成長させることを特徴とするSiC単結晶の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 譲渡についての可・不可はそのときの状況によります。

登録者情報

登録者名称 株式会社信州TLO

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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