熱処理装置、及び半導体装置の製造方法

開放特許情報番号
L2018001809
開放特許情報登録日
2018/8/20
最新更新日
2018/8/20

基本情報

出願番号 特願2009-520266
出願日 2007/6/28
出願人 富士通セミコンダクター株式会社
公開番号 WO2009/001466
公開日 2008/12/31
登録番号 特許第5304647号
特許権者 富士通セミコンダクター株式会社
発明の名称 熱処理装置、及び半導体装置の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、加熱・冷却
適用製品 熱処理装置、及び半導体装置の製造方法
目的 ノボラック樹脂を含む保護絶縁膜の劣化を防止することが可能な熱処理装置、及び半導体装置の製造方法を提供すること。
効果 ポリイミド膜のキュアには250〜350℃という比較的高い基板温度が必要であるが、ノボラック樹脂を主成分とする塗膜のキュアは約160〜180℃程度という低温の基板温度で行うことができ、塗膜をキュアする際の熱で強誘電体キャパシタが受けるダメージを低減することができる。
しかも、ポリイミド膜をキュアする場合と比較して、ノボラック樹脂を主成分とする塗膜をキュアするに該塗膜から放出される水分量が少ないので、水分等の還元性物質によってキャパシタ誘電体膜が還元されてその強誘電体特性が劣化するのを防止できる。
技術概要
半導体基板を収容する処理室と、
前記処理室内に設けられ、前記半導体基板を加熱するヒータと、
前記処理室内の雰囲気に含まれる酸素の濃度を、大気中における酸素の濃度よりも低減し、前記雰囲気を前記処理室内で循環させ、前記雰囲気の循環経路に酸素を選択的に除去する酸素トラップを有し、前記処理室内の前記雰囲気に含まれる水素の濃度を大気中における水素の濃度より低減する機構を有する雰囲気調節機構と、
を有することを特徴とする熱処理装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【有】   
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