半導体製造装置及び半導体装置の製造方法

開放特許情報番号
L2018001808
開放特許情報登録日
2018/8/20
最新更新日
2018/8/20

基本情報

出願番号 特願2007-156280
出願日 2007/6/13
出願人 富士通セミコンダクター株式会社
公開番号 特開2008-311346
公開日 2008/12/25
登録番号 特許第5315631号
特許権者 富士通セミコンダクター株式会社
発明の名称 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
目的 配管及び反応装置内に反応ガスが析出しにくい半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。
効果 シール部材に加熱手段と温度検出が設けられているためシール部材の内周面を反応ガスの昇華温度以上に確実に加熱することができ、反応ガスがシール部材付近を起点に析出することを防止することができる。
さらに、温度センサ及び温度制御手段によってシール部材の温度を測定して温度制御を行うことにより、シール部材の内周面の温度と、配管部の配管内周面の温度分布を均一に保つように制御することができる。この構成により、配管部での反応ガス成分の析出の可能性を従来よりも低減することができる。
技術概要
半導体基板に対して処理を行う反応装置と、
前記反応装置に接続された第1の配管部と、
前記第1の配管部にシール部材を介して接続された第2の配管部と、
前記第1の配管部と前記第2の配管部を加熱する被覆加熱手段と、
前記シール部材を内部から加熱するシール部材加熱手段と、
前記シール部材の温度を検出する温度検出手段と、
前記温度検出手段の検出値に基づいて、前記シール部材加熱手段の発熱量を調整し、前記シール部材の温度を前記反応装置内の反応ガスの昇華点以上で、且つ、前記第1の配管部、第2の配管部及び前記反応装置の温度と同一に保つ温度制御手段と、
を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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