半導体の抵抗異常検出装置

開放特許情報番号
L2018001734
開放特許情報登録日
2018/8/8
最新更新日
2018/8/8

基本情報

出願番号 特願2015-247449
出願日 2015/12/18
出願人 学校法人 関西大学
公開番号 特開2017-112310
公開日 2017/6/22
発明の名称 半導体の抵抗異常検出装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体の抵抗異常検出装置
目的 周辺回路の簡素化を図ることができる半導体の抵抗異常検出装置を提供すること。
効果 本発明によれば、検出装置を、半導体装置を選択する選択スイッチと、半導体装置を構成する各抵抗素子の抵抗値を測定するための測定スイッチとを有するだけの1つの簡素な回路で構成することによって、周辺回路の簡素化を図ることができる半導体の抵抗異常検出装置を提供することができる。
技術概要
検査対象となる複数の抵抗素子が直列接続されてなる半導体素子の多数を配置して構成される半導体の抵抗異常を検出する装置であって、前記多数の半導体素子のうちの特定の半導体素子を選択し該選択された半導体素子に電流を流すべく、該各半導体素子の両端に接続される選択スイッチと、前記各抵抗素子の抵抗値を測定すべく、該各抵抗素子の一端側及び他端側に接続される測定スイッチと、前記選択スイッチで選択された半導体素子が良又は不良であるかを評価する半導体素子評価手段と、該半導体素子評価手段で不良であると評価された半導体素子を構成する複数の抵抗素子のそれぞれを前記測定スイッチで測定した結果に基づいて良又は不良であるかを評価する抵抗素子評価手段と、を備えていることを特徴とする半導体の抵抗異常検出装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 関西大学

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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