光発電＿７＿光電変換素子＿２０１７年度ＷＩＰＯ ＧＲＥＥＮ ＤＢ登録済
- 開放特許情報番号
- L2018001710
- 開放特許情報登録日
- 2018/8/7
- 最新更新日
- 2018/8/7
基本情報
| 出願番号 | 特願2015-155217 |
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| 出願日 | 2015/8/5 |
| 出願人 | 富士通株式会社 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2017/2/9 |
| 発明の名称 | 光電変換素子 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 光電変換素子 |
| 目的 | 良好な変換効率を安定して得ることができる光電変換素子を提供すること。 |
| 効果 | ＩｎＧａＮ層が適切な層で挟まれているため、製造が容易で良好な変換効率を安定して得ることができる。 |
技術概要) |
第１導電型の第１のＡｌ↓xＧａ↓（1-x）Ｎ層（０．０５≦ｘ＜０．３０）と、
前記第１のＡｌ↓xＧａ↓（1-x）Ｎ層上方の第１導電型の第１のＧａＮ層と、 前記第１のＧａＮ層上方のＩｎＧａＮ層と、 前記ＩｎＧａＮ層上方の第２導電型の第２のＧａＮ層と、 前記第２のＧａＮ層上方の第２導電型の第２のＡｌ↓yＧａ↓（1-y）Ｎ層（０．０５≦ｙ＜０．３０）と、 を有することを特徴とする光電変換素子。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
アピール情報
| アピール内容 | 【SDGs目標】 7.エネルギーをみんなに そしてクリーンに |
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登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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