光発電_7_光電変換素子_2017年度WIPO GREEN DB登録済

開放特許情報番号
L2018001710
開放特許情報登録日
2018/8/7
最新更新日
2018/8/7

基本情報

出願番号 特願2015-155217
出願日 2015/8/5
出願人 富士通株式会社
公開番号 特開2017-034189
公開日 2017/2/9
発明の名称 光電変換素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 光電変換素子
目的 良好な変換効率を安定して得ることができる光電変換素子を提供すること。
効果 InGaN層が適切な層で挟まれているため、製造が容易で良好な変換効率を安定して得ることができる。
技術概要
第1導電型の第1のAl↓xGa↓(1-x)N層(0.05≦x<0.30)と、
前記第1のAl↓xGa↓(1-x)N層上方の第1導電型の第1のGaN層と、
前記第1のGaN層上方のInGaN層と、
前記InGaN層上方の第2導電型の第2のGaN層と、
前記第2のGaN層上方の第2導電型の第2のAl↓yGa↓(1-y)N層(0.05≦y<0.30)と、
を有することを特徴とする光電変換素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 【SDGs目標】 7.エネルギーをみんなに そしてクリーンに

登録者情報

登録者名称 富士通株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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