| 出願番号 |
特願2014-163908 |
| 出願日 |
2014/8/11 |
| 出願人 |
富士通株式会社 |
| 公開番号 |
特開2016-039353 |
| 公開日 |
2016/3/22 |
| 登録番号 |
特許第6405784号 |
| 特許権者 |
富士通株式会社 |
| 発明の名称 |
光電変換素子 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
光電変換素子 |
| 目的 |
安価なＳｉ基板上に高品質な窒化物半導体を形成して優れた光電変換効率を得ることを可能とし、簡素な構成で製造コストを抑制した高効率な光電変換素子を提供すること。 |
| 効果 |
安価なＳｉ基板上に高品質な窒化物半導体を形成して優れた光電変換効率を得ることが可能となり、簡素な構成で製造コストを抑制した高効率な光電変換素子が実現する。 |
技術概要
 |
シリコン基板と、
前記シリコン基板上に形成されたシリコンカーバイド層と、
前記シリコンカーバイド層上に、ｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層を有する積層体を少なくとも一層備えた受光部と、
前記シリコン基板の裏面及び前記受光部の表面に電気的に接続された一対の電極と
を含むことを特徴とする光電変換素子。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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