光発電_1_太陽電池及びその製造方法_2017年度WIPO GREEN DB登録済

開放特許情報番号
L2018001692
開放特許情報登録日
2018/8/6
最新更新日
2018/8/6

基本情報

出願番号 特願2012-259941
出願日 2012/11/28
出願人 富士通株式会社
公開番号 特開2014-107441
公開日 2014/6/9
登録番号 特許第6060652号
特許権者 富士通株式会社
発明の名称 太陽電池及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 太陽電池及びその製造方法
目的 青色から紫外域の光を高効率に光電変換しうる太陽電池を提供すること。
効果 n型GaN層/InGaN光吸収層/p型GaN層の積層構造を柱状構造体により形成することにより、良好な結晶性を維持しつつInGaN光吸収層を厚膜化することができる。また、基板側から順に、p型GaN層、InGaN光吸収層及びn型GaN層を積層することにより、n型GaN/InGaN界面及びInGaN/p型GaN界面におけるキャリアの閉じ込めが生じることなく、光電流を効率的に取り出すことができる。これにより、高効率の太陽電池を実現することができる。
技術概要
p型の半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されたp型GaN層と、前記p型GaN層上に形成されたInGaN光吸収層と、前記InGaN光吸収層上に形成されたn型GaN層とを有する柱状構造体と、
前記半導体基板と前記p型GaN層との間に形成され、金属的伝導性を有するp型GaAs層又はp型Si層のp型半導体層と
を有することを特徴とする太陽電池。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 【SDGs目標】 7.エネルギーをみんなに そしてクリーンに

登録者情報

登録者名称 富士通株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT