| 出願番号 |
特願2012-259941 |
| 出願日 |
2012/11/28 |
| 出願人 |
富士通株式会社 |
| 公開番号 |
特開2014-107441 |
| 公開日 |
2014/6/9 |
| 登録番号 |
特許第6060652号 |
| 特許権者 |
富士通株式会社 |
| 発明の名称 |
太陽電池及びその製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
太陽電池及びその製造方法 |
| 目的 |
青色から紫外域の光を高効率に光電変換しうる太陽電池を提供すること。 |
| 効果 |
ｎ型ＧａＮ層／ＩｎＧａＮ光吸収層／ｐ型ＧａＮ層の積層構造を柱状構造体により形成することにより、良好な結晶性を維持しつつＩｎＧａＮ光吸収層を厚膜化することができる。また、基板側から順に、ｐ型ＧａＮ層、ＩｎＧａＮ光吸収層及びｎ型ＧａＮ層を積層することにより、ｎ型ＧａＮ／ＩｎＧａＮ界面及びＩｎＧａＮ／ｐ型ＧａＮ界面におけるキャリアの閉じ込めが生じることなく、光電流を効率的に取り出すことができる。これにより、高効率の太陽電池を実現することができる。 |
技術概要
 |
ｐ型の半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されたｐ型ＧａＮ層と、前記ｐ型ＧａＮ層上に形成されたＩｎＧａＮ光吸収層と、前記ＩｎＧａＮ光吸収層上に形成されたｎ型ＧａＮ層とを有する柱状構造体と、
前記半導体基板と前記ｐ型ＧａＮ層との間に形成され、金属的伝導性を有するｐ型ＧａＡｓ層又はｐ型Ｓｉ層のｐ型半導体層と
を有することを特徴とする太陽電池。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)