| 出願番号 |
特願2012-168532 |
| 出願日 |
2012/7/30 |
| 出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
特開2014-026921 |
| 公開日 |
2014/2/6 |
| 登録番号 |
特許第6028277号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 |
金属ホウ化物フィールドエミッター作製方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
金属ホウ化物フィールドエミッターを作成する方法 |
| 目的 |
低い仕事関数を有する安定なＬａＢ↓６等の金属ホウ化物フィールドエミッターを作成する方法を提供すること。 |
| 効果 |
比較的ありふれた条件で金属ホウ化物のナノワイヤーなどを処理することにより、従来技術によるフィールドエミッターと比較して、輝度、安定性、単色性が良好なフィールドエミッターを得ることができる。 |
技術概要
 |
先端が（１００）面である先細形状の金属六ホウ化物ナノワイヤーである基材に電界を印加することにより前記基材上のナノチップ粒子を前記基材の先端に集積させてナノチップを前記先端に形成する、金属ホウ化物フィールドエミッター作製方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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