金属電極及びこれを用いた半導体素子

開放特許情報番号
L2018001640
開放特許情報登録日
2018/7/27
最新更新日
2018/7/27

基本情報

出願番号 特願2013-201187
出願日 2008/12/5
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2014-039051
公開日 2014/2/27
登録番号 特許第5704546号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 金属電極及びこれを用いた半導体素子
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 金属電極及びこれを用いた半導体素子
目的 閾値電圧を制御することができる、高誘電率薄膜上に形成される金属電極及びこれを用いた半導体素子を提供すること。
効果 本発明に係る金属電極によれば、仕事関数を制御するとともに、閾値電圧のばらつきを抑制することにより、閾値電圧を制御することができる。
技術概要
ゲート絶縁膜として用いられる高誘電率薄膜上に形成され、ゲート電極として用いられる金属電極において、
第1の電極材料を含有する金属膜と、
Moを3mol%〜40mol%及びRuを60mol%〜90mol%含有し、前記高誘電率薄膜と前記金属膜との間に形成された特性制御膜とを備え、
前記高誘電率薄膜と前記特性制御膜との界面にMo酸化膜が形成されることを特徴とする金属電極。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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