有機EL素子の製造装置及び方法、CVD薄膜の製造装置及び方法

開放特許情報番号
L2018001637
開放特許情報登録日
2018/7/27
最新更新日
2018/7/27

基本情報

出願番号 特願2012-182178
出願日 2012/8/21
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2014-041712
公開日 2014/3/6
登録番号 特許第5979666号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 有機EL素子の製造装置及び方法、CVD薄膜の製造装置及び方法
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 有機EL素子の製造装置、製造方法、CVD薄膜の製造装置、製造方法
目的 バンドラインナップを各成膜工程のような製造プロセスの中途で測定することで、製造条件や製造工程の最適化が迅速に行えると共に、製造工程で何らかの不都合を生じた場合にも、迅速に当該不都合の発生を検知して、迅速かつ確実に製品出荷基準に適合する製造品を製造できるようにした有機EL素子の製造装置及び製造方法を提供する。また、迅速かつ確実に製品出荷基準に適合する製造品を製造できるようにしたCVD薄膜の製造装置及び製造方法を提供する。
効果 有機EL素子の製造装置によれば、対象とするバンドラインナップ測定に必要な機能を一つの装置内において光(光量)と電子(電流)を同時測定でき、紫外線の照射により物理的な特性が変化しやすい有機EL素子の有機化合物の物性測定として適している。有機EL素子の製造装置によれば、有機EL素子の開発における発光効率や省エネルギーに直結する特性であるバンドラインナップを1回の測定で求めることができ、材料評価がより迅速にかつ正確に行える。
技術概要
真空または不活性ガス雰囲気中で、陽極層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、陰極層の各層を少なくとも一層含んで、透明基板上に有機EL素子となる領域毎に成膜する成膜手段と、
前記成膜手段で成膜される前記各層のうち少なくとも一層に対して、所定の波長領域内で波長掃引される単色光を当該層の表面に照射する波長掃引光の照射部と、
前記波長掃引光の照射された被測定層の部位からの反射光又は透過光の少なくとも一方の光量を測定する光量測定部と、
前記波長掃引光の照射部と前記被測定層の部位との間に設けられたコレクター電極と、
前記波長掃引光の照射光に起因する電流であって、前記被測定層と前記コレクター電極との間に流れる電流を測定する電流測定部と、
前記光量測定部と前記電流測定部の測定結果から被測定層のHOMOとLUMOを算出して、前記被測定層の品質を管理する膜品質管理部と、
を備えることを特徴とする有機EL素子の製造装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT