| 出願番号 |
特願2013-542694 |
| 出願日 |
2011/11/11 |
| 出願人 |
学校法人関西学院 |
| 公開番号 |
WO2013/069067 |
| 公開日 |
2013/5/16 |
| 登録番号 |
特許第5794648号 |
| 特許権者 |
学校法人関西学院 |
| 発明の名称 |
ナノメーター標準原器及びナノメーター標準原器の製造方法 |
| 技術分野 |
情報・通信 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
ナノメーター標準原器 |
| 目的 |
大気中又は真空中で使用可能であるとともに、測定器を高精度に校正可能なナノメーター標準原器を提供する。 |
| 効果 |
素材としてＳｉＣを用いているため、耐熱性に優れたナノメーター標準原器が実現できる。また、ＳｉＣは、大気中の物質と反応しにくいので、ステップの高さの精度を長期間にわたって維持可能なナノメーター標準原器が実現できる。また、Ｓｉ面とＣ面の両面にステップ／テラス構造が形成されていることにより、例えば測定環境が高温真空下であるＳＴＭ等にはＳｉ面を使用し、測定環境が常温の大気圧下であるＡＦＭ等にはＣ面を使用することができる。従って、測定環境の違いにも柔軟に対応できる多機能なナノメーター標準原器が実現できる。 |
技術概要
 |
長さの基準となる標準長さを有するナノメーター標準原器において、
ステップ／テラス構造が形成された単結晶のＳｉＣ層を有する基板を備えており、
前記ＳｉＣ層に形成されたステップの高さは、単結晶ＳｉＣ分子の積層方向の１周期分であるフルユニットの高さ、又は単結晶ＳｉＣ分子の積層方向の半周期分であるハーフユニットの高さと同一であり、
前記ステップの高さが前記標準長さとして用いられ、前記基板のＳｉ面とＣ面の両面にステップ／テラス構造が形成されていることを特徴とするナノメーター標準原器。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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