窒化物半導体素子の製造方法

開放特許情報番号

L2018001615

開放特許情報登録日

2018/7/26

最新更新日

2018/7/26

基本情報

出願番号	特願2013-010755
出願日	2013/1/24
出願人	国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号	特開2014-143292
公開日	2014/8/7
登録番号	特許第6099085号
特許権者	国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称	窒化物半導体素子の製造方法
技術分野	電気・電子
機能	材料・素材の製造
適用製品	密封型窒化物半導体素子及びその製造方法
目的	窒化物半導体−絶縁膜界面の界面準位の大幅な低減手法を明らかにし、Ｅｃ−Ｅｔ＝０．４ｅＶにおける界面準位の密度を１０↑１０ｃｍ↑（−２）ｅＶ↑（−１）程度に低減化した窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
効果	本発明の密封型窒化物半導体素子は、窒化物半導体−絶縁膜界面の界面準位の低減手法を明らかにでき、Ｅｃ−Ｅｔ＝０．４ｅＶにおける界面準位の密度を１０↑１０ｃｍ↑（−２）ｅＶ↑（−１）程度に低減化することができる。 本発明の密封型窒化物半導体素子の製造方法は、窒化物半導体−絶縁膜界面の界面準位の低減手法を明らかにし、Ｅｃ−Ｅｔ＝０．４ｅＶにおける界面準位の密度を１０↑１０ｃｍ↑（−２）ｅＶ↑（−１）程度に低減化した密封型窒化物半導体素子を容易に製造することができる。
技術概要	窒化物半導体層と絶縁体層と金属膜層が順次積層された窒化物半導体素子の製造方法において、 前記窒化物半導体層はＧａＮ層又はＧａＮ層とＡｌＧａＮ層からなり、 前記絶縁体層はＳｉＯ↓２膜からなり、 前記金属膜層がＰｔ又はＰｄからなり、 前記窒化物半導体層上に前記絶縁体層と前記金属膜層が積層された状態で、Ｈ↓２ガスを１００ｐｐｍ以上含有させた圧力１０ｋＰａ以上のＨ↓２含有Ｎ↓２ガス処理を３０分以上行い、 前記窒化物半導体層と前記絶縁体層の界面の界面準位を低減させたことを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人物質・材料研究機構

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】